![扬州倍英斯微电子有限公司](http://img.czvv.com/logo/5804295184ae1a695a2f0c39/5804295184ae1a695a2f0c39.png)
扬州倍英斯微电子有限公司 main business:许可经营项目:无 一般经营项目:电子元器件、电子设备、金属框架、电子产品研发、生产、销售及提供技术咨询、技术转让;自营和代理各类商品及技术的进出口业务(国家限定企业经营或进出口的商品和技术除外)。 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
welcome new and old customers to visit our company guidance, my company specific address is: 扬州市广陵区广陵产业园创业路7号.
If you are interested in our products or have any questions, you can give us a message, or contact us directly, we will receive your information, will be the first time in a timely manner contact with you.
- 321002000129945
- 注销
- 有限责任公司(自然人投资或控股)
- 2013年08月15日
- 林志贵
- 1000.000000
- 2013年08月15日 至 2033年08月14日
- 扬州市广陵区市场监督管理局
- 2014年05月13日
- 扬州市广陵区广陵产业园创业路7号
- 许可经营范围:一般经营范围:电子元器件、电子设备、金属框架、电子产品研发、生产、销售及提供技术咨询、技术转让;自营和代理各类商品及技术的进出口业务(国家限定企业经营或进出口的商品和技术除外)。
序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
1 | CN104576416A | 一种双层凸点二极管芯片制备方法 | 2015.04.29 | 本发明专利为一种双层凸点二极管芯片的制备方法。该方法在二极管阴极和阳极金属化完成之后,在阴极和阳极键 |
2 | CN104517833A | 一种肖特基势垒二极管的制造方法 | 2015.04.15 | 本发明为一种肖特基势垒二极管的制造方法,其特征在于:在硅外延片1上形成肖特基势垒的过程中,采用至少两 |
![](http://sw-static.czvv.com/public/images/company/title_l.gif)